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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業和軍用衛星及太空電源解決方案認證

太空應用電源必須在抗輻射技術環境中運行,防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響,因為這類事件會降低太空系統的效能並干擾運行。為滿足這一要求,Microchip Technology Inc.今日宣佈其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)獲得了商業航太和國防太空應用認證。

Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件,包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、馬達驅動和控制以及通用開關。這款MOSFET元件能夠承受惡劣的太空環境,增強電源電路的可靠性,並以更高的效能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求。

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用於未來的衛星系統,也可作為現有系統的備用電源。

新元件可以承受高達100 krad和300 krad的總電離劑量(TID)以及高達87 MeV/mg/cm2的線性能量轉移(LET)的單一事件效應(SEE)。在驗證測試中,元件的晶圓批次耐輻射合格率達到100%。

Microchip分離式產品業務部副總裁Leon Gross表示:「Microchip進入耐輻射MOSFET市場,體現了我們致力於為客戶提供支援,為航空航太和國防OEM廠商和整合商提供高效能解決方案和持續供應的長期承諾。除了公認的高品質和可靠性外,M6 MRH25N12U3還為開發人員提供超值選擇以及全面的應用支援。」

M6 MRH25N12U3屬於Microchip豐富的航空、國防和航太技術產品線。這些產品包括可程式邏輯閘陣列(FPGA)、微處理器積體電路(IC)、線性IC、功率元件、分離元件和整合SiC和Si電源解決方案的電源模組。再搭配微控制器(MCU)和類比產品,Microchip能夠滿足大功率系統控制、閘極驅動器和功率級的需求,可為全球開發者提供整體系統解決方案。

Microchip在不斷推出新技術的同時,還尋求與航太產品製造商和整合商合作,保障現有和未來系統供應鏈的穩定。

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