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安森美半導體推出新的乙太網供電(PoE)方案 支援IoT端點日益增長的功率需求

安森美半導體推出新的乙太網供電(PoE)方案 支援IoT端點日益增長的功率需求

符合IEEE 802.3bt標準,針對不同應用提供90 W功率,
包括智慧感測器、建築自動化和聯接的照明

【2019年9月5日】推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),憑藉不斷增長的符合IEEE802.3bt標準的產品和技術陣容引領產業。乙太網供電(PoE)使用新的IEEE802.3bt標準,可用於通過局域網(LAN)聯接提供高達90 W的高速互聯。安森美半導體的方案不僅支援新標準的功率限制,還將功率擴展到100 W用於電信和數位標識等系統。

新的IEEE802.3bt PoE標準有潛力變革物聯網(IoT)所涉及的每個垂直市場,使更精密的端點可在更大的網路運行。IEEE802.3bt標準通過新的「Autoclass」特性最佳化能量管理,令受電裝置(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電裝置(PSE)。這也令每個PSE僅向每個PD分配適當的功率量,從而最大化可用能量和頻寬。

與IEEE 802.at標準(PoE+)提供的30 W相比,IEEE 802.3bt可提供高達90 W的功率和互聯到新的應用,無需專用且通常為離線的電源。PoE將簡化網絡拓撲,並提供更穩定的「隨插即用(plug and play)」用戶體驗。

商業信息供應商IHS Markit電源半導體高級分析師Kevin Anderson表示:「乙太網供電是當今電源半導體發展最快的市場之一,預計2017年到2022年的複合平均單位增長率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應用,如更高功率聯接的照明、聯網的高解析度監控攝影機和高性能無線接入點。」

NCP1095和NCP1096介面控制器構成安森美半導體PoE-PD方案的基礎,具有PoE介面所需的所有特性,包括檢測、自動分類和限流。控制器採用一個外部(NCP1095)或內部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096整合的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導通電阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge™四通道MOSFET,為PoE應用中的二極管橋提供更有效的替代方案。這些元件賦予高能效的PoE介面,最高可達標準的90 W功率限制,若需更高的功率,可用專用的100 W方案。

安森美半導體工業和離線電源配置副總裁Ryan Cameron表示:「作為一家專注於高能效的公司,我們很高興能促進PoE充分發揮潛力。安森美半導體提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案,使這技術更容易普及所有開發工程師,有助於使更多聯接的裝置擁有保證的互通性。」

欲瞭解更多資訊,請聯繫您當地的安森美半導體代表或授權代理商。

更多資源及文檔:
登陸頁面(landing page):乙太網供電(PoE)方案
影音:您需要更大功率
部落格:開啟更大功率IoT應用的大門
白皮書:四通道MOSFET方案替代二極管橋方案顯著提高PoE能效

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關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高效能電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商,提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片(SoC)及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案,及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫,在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱:http://www.onsemi.com。
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